![shallow trench isolation半導体](https://host.easylife.tw/files/RiotIsolator.png)
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...,由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforredu...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究
- corner rounding半導體
- shallow trench isolation解釋
- sti etch back
- sti淺溝槽
- 淺溝槽隔離
- sti divot formation
- corner rounding半導體
- shallow trench isolation半導體
- sti etch back
- deep trench isolation
- deep trench isolation
- usg半導體
- locos sti比較
- 淺溝槽隔離
- shallow trench isolation中文
- deep trench isolation process
- shallow trench isolation解釋
- deep trench isolation process
- shallow trench isolation半導體
- deep trench isolation
- sti locos
- sti divot
- sti etch back
- usg半導體
- 屏蔽氧化層
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **